IV. Laboratry

1. An Array Element: 16.25GHz inset-fed patch

좌표축을 아래 그림과 같이 하라. 패치를 yz-평면에 배치. 패치길이(급전선) 방향 = y 방향

 

   inset패치

그림: 16.25-GHz inset-fed 패치 안테나 설계변수 [Mishra (2015, IEEE India Conf)]

 

안테나 치수 (단위: mm)

- 기판 Taconic TLX-9: 두께 0.508, 유전상수 2.50, 손실탄젠트 0.001, 도체 두께 0.018 (0.5 oz. copper), 기판크기 20 x 20

- 패치: 길이 Lp = 5.58, Wp = 5.49, 인셋용 제거 Wf + 2x0 = 1.49, 인셋깊이 y0 = 1.8; 급전선 Wf = 0.49 (90 Ω)

- 마이크로스트립 wave port 크기: Microwave Studio 이용하여 마이크로스트립 선로 해석 wave port 폭은 스트립 폭의 6 이상, 높이는 기판 두께의 5 이상으로 설정. Wave port 내에 실제 마이크로스트립 전송선의 에너지가 95% 이상 포함되어야 한다. Wave port 크기에 따라 마이크로스트립 선로의 특성 임피던스가 약간 달라진다.

 

https://i.ytimg.com/vi/k54XWrcI5Bc/maxresdefault.jpg

그림: Microstrip 선로의 wave port 설정

 

1) Wave port 면에서의 전기장 분포 도시

     Line impedance = (    

2) 안테나 3차원 형상 도시

3) 반사계수 |S11(dB)| 도시: - 40dB to 0dB, 15-18GHz

4) 전계면 (xy-평면, theta = 90º) 정규화한 지향도 패턴 도시

    Dabs, -40dB to 0dB, Cartesian, phi = -90º to +90º

5) 자계면 (zx-평면, phi = 0º) 정규화한 지향도 패턴 도시

    Dabs, -40dB to 0dB, Cartesian, theta = 0º to +180º

6) 3차원 지향도 Dabs 패턴 도시

     최대 지향도 = (     ) dBi

 

2. Lineary array 1: Uniformly excited broadside array

Broadside array: 주빔의 각도 θ0 배열축에 수직. θ0 = 90°

그림: 18 소자 패치 선형배열 안테나

 

소자: 사각형 패치 (자계면 방향 선형배열), 패치 길이방향 y, 배열축을 z 축으로 하라.

소자수: 18

소자간 간격: 0.542파장 (10 mm @ 16.25GHz)

전류크기: Uniform excitation. 1-18 소자 모두 1

소자간 위상차 α : 1-18 소자 모두 0° for θ0 = 90°

 

1) 자계면 정규화된 지향도 패턴 도시: Dabs, Cartesian, zx-평면, phi = 0°, theta = 0° to 180°

     그래프 스케일: 수평 0° to 180°, 수평 -40dB to 0dB

     주빔위치 theta = (   

     빔폭 (3 dB) = (   

     Sidelobe level = (    ) dB

2) 3차원 지향도 패턴 Dabs 도시

     최대 지향도 = (    ) dBi

 

3. Liear array 2: Scanned array with θ0 = 120.8º

소자: 사각형 패치 (자계면 방향 선형배열), 패치 길이방향 y, 배열축을 z 축으로 하라.

소자수: 18

소자간 간격: 0.542파장 (10mm @ 16.25GHz)

전류크기: 1-18 소자 모두 1 (Uniform excitation)

소자간 위상차: 100°

소자 n 위상 α : 100n degrees for θ0 = 120.8°

위치:

격자엽 위치:

 

1) 자계면 정규화된 지향도 패턴 도시: Dabs, Cartesian, zx-평면, phi = 0°, theta = 0° to 180°

     그래프 스케일: 수평 0° to 180°, 수평 -40dB to 0dB

주빔위치 theta = (   

빔폭 (3 dB) = (   

Sidelobe level = (     )dB

격자엽 위치 theta = (      )º

2) 3차원 지향도 패턴 Dabs 도시

     최대 지향도 = ( 18.81 )dBi

 

4. Linear array 3: Broadside array with a grating lobe

소자: 사각형 패치 (자계면 방향 선형배열), 배열축을 z 축으로 하라.

소자수: 18

소자간 간격: 1.625파장 (30mm @ 16.25GHz)

전류크기: 1-18 소자 모두 1

소자간 위상차: 1-18 소자 모두

주빔 위치:

격자엽 위치:

 

1) 자계면 정규화된 지향도 패턴 도시: Dabs, Cartesian, , zx-평면, phi = 0°, theta = 0° to 180°

     그래프 스케일: 수평 0° to 180°, 수평 -40dB to 0dB

주빔위치 theta = (   

빔폭 (3 dB) = (   

Sidelobe level = (    )dB

격자엽 위치 theta = (    

2) 3차원 지향도 패턴 Dabs 도시

최대 지향도 = (    )dBi