정보통신실험
03주 - 소신호 증폭기
부록 B: 트랜지스터 증폭기 Overview
1. 트랜지스트 증폭기 (Reference for Self-study)
1) 트랜지터 증폭기 종류
ㅇ BJT, MOSFET
- BJT (bipolar junction transistor)
- MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)
ㅇ BJT vs FET 특성 비교
2) 증폭기 모델
ㅇ 전압증폭기, 전류증폭기, 컨덕턴스 전이증폭기, 저항 전이증폭기
ㅇ 증폭기 종류에 따른 입력 임피던스, 출력 임피던스, 이득변수 (이상적인 경우)
2. BJT 증폭기 Configurations
ㅇ CE (common emitter) 증폭기
ㅇ CC (common collector) 증폭기 = Emitter follower
ㅇ CB (common base) 증폭기
ㅇ CE, CB, CC 증폭기 특성비교
3. 트랜지스터 등가회로
ㅇ Pi 등가회로
hie : input impedance
hre : reverse voltage ratio
hfe : forward current transfer ratio
hoe: output admittance
ㅇ 단순화된 등가회로: hreVce << 1, hoe >> 1
ㅇ 증폭기 구성에 따른 BJT 증폭기 등가회로 패러미터
- 트랜지스터 패러미터에 영향을 주는 변수: 온도, 컬렉터 전압, 컬렉터-이미터 전압
4. 증폭기 주파수 특성
ㅇ 용도/신호종류별 주파수 대역
ㅇ BJT의 주파수 특성
자료원:
ㅇ 단 사이의 궤환 (feedback)이 없는 2단 증폭기
- 주파수 대역이 넓지 않음.
Vcc = 15 V, Vs: 1 mV peak, phase 0°, Q1 & Q2 = Q2N2222 NPN BJT\
- 2단 증폭기 주파수 특성
ㅇ 단 사이의 부성궤환을 적용하여 주파수 대역폭 확장
- Use a negative feedback to extend the frequency response of the
amplifier.
- 단 사이의 부성궤환이 있는 2단 증폭기의 주파수 특성